Módulo de Diodo Laser de Espaço Livre 1100mW 659nm

Módulo laser projetado com comprimento de onda de 659 nm e potência de 1100 mW. O tamanho típico do feixe é de 8,5 x 9,5 mm, com baixa divergência de feixe igual a 0,2 x 1,6 mRad.

Disponível sob encomenda mediante solicitação

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Descrição do produto

Visão Geral

O Módulo de Diodo Laser de Espaço Livre Opt Lasers 1100 mW 659 nm apresenta especificações excelentes de divergência e tamanho de feixe. O driver de diodo laser fornecido com este módulo garante o controle preciso da corrente do diodo laser, além de manter a modulação em alta velocidade. O controle de temperatura preciso da carcaça do diodo laser melhora significativamente a estabilidade de potência e garante longa vida útil do diodo laser. Essa combinação de especificações do feixe e controle de corrente e temperatura torna este módulo uma escolha ideal tanto para aplicações científicas quanto industriais.

A plataforma de resfriamento e a fonte de alimentação para este módulo estão disponíveis para este módulo. Caso deseje adicioná-los ao seu pedido ou tenha qualquer dúvida, não hesite em nos contatar.

Saiba mais sobre os módulos de diodo laser de espaço livre da Opt Lasers.




Características do Produto

  • Pequeno tamanho de feixe
  • Baixa divergência
  • Alta estabilidade óptica
  • Resfriamento ativo
  • Longa vida útil
  • Modulação em alta velocidade

Aplicações

  • Iluminação
  • Espectroscopia
  • Fluorescência
  • Biomédico



Especificações

Comprimento de Onda Central Típico [nm, ±5] 659
Potência de Saída [mW] 1100
Tamanho de Feixe Típico [mm, @ 1/e2]1 8,5 x 9,5
Divergência Total do Feixe Típica [mRad, @ 1/e]1 0,2 x 1,6
Estado de Polarização TM
Estabilidade de Potência Pico a Pico em 8h, %2 0,5
Estabilidade de Potência RMS em 8h, %2 0,08
Vida útil [h] 10 000
Entrada de Modulação [V, Analógica] 0-5
Largura de Banda de Modulação -3 dB [kHz] 600
Tempo de Softstart [ms] 2000
Tempo de Subida [ns]3 250
Tempo de Descida [ns]3 150
Atraso do Sinal ao Início da Subida [ns]3 400
Proteção ESD do Diodo Laser SIM
Método de Resfriamento Ativo - TEC
Temperatura de Operação [°C] 10 - 35
Proteção contra Sobreaquecimento Sim
Potência Dissipada [W, superfície inferior] <35
Consumo Máximo de Potência [V x A] 7,5 x 8
Dimensões do Módulo (C x L x A) [mm] 129 x 59 x 41

1 Vertical x Horizontal.

2 Teste realizado sob temperatura ambiente de 22°C ±2 usando um medidor de potência óptica com largura de banda de entrada de 100 Hz. A potência foi medida a cada 6 segundos. Teste realizado após aquecimento inicial.

3 Medição realizada com frequência de 100kHz.




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