Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre 1100mW 659nm
Módulo láser diseñado con una longitud de onda de 659 nm y una potencia de 1100 mW. El tamaño típico del haz es de 8.5 x 9.5 mm, con baja divergencia de haz igual a 0.2 x 1.6 mRad.
Disponible por pedido bajo solicitud
Descripción del producto
Descripción General
El Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre Opt Lasers 1100 mW 659 nm ofrece especificaciones superiores de divergencia y tamaño de haz. El controlador de diodo láser suministrado con este módulo garantiza un control preciso de la corriente del diodo láser, manteniendo al mismo tiempo una modulación de alta velocidad. El control preciso de la temperatura de la carcasa del diodo láser mejora significativamente la estabilidad de potencia y asegura una larga vida útil del diodo láser. Esta combinación de especificaciones del haz junto con el control de corriente y temperatura hace que este módulo sea la opción ideal tanto para aplicaciones científicas como industriales.
Existe una plataforma de refrigeración y una fuente de alimentación disponibles para este módulo. Si desea agregarlas a su pedido u tiene cualquier otra consulta, no dude en contactarnos.
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Características del Producto
- Haz de tamaño reducido
- Baja divergencia
- Alta estabilidad óptica
- Refrigeración activa
- Larga vida útil
- Modulación de alta velocidad
Aplicaciones
- Iluminación
- Espectroscopía
- Fluorescencia
- Biomedicina
Especificaciones
| Longitud de Onda Central Típica [nm, ±5] | 659 |
|---|---|
| Potencia de salida [mW] | 1100 |
| Tamaño de Haz Típico [mm, @ 1/e2]1 | 8.5 x 9.5 |
| Divergencia Total del Haz Típica [mRad, @ 1/e]1 | 0.2 x 1.6 |
| Estado de Polarización | TM |
| Estabilidad de Potencia Pico a Pico en 8h, %2 | 0.5 |
| Estabilidad de Potencia RMS en 8h, %2 | 0.08 |
| Vida útil [h] | 10 000 |
| Entrada de Modulación [V, Analógica] | 0-5 |
| Ancho de Banda de Modulación -3 dB [kHz] | 600 |
| Tiempo de Encendido Suave [ms] | 2000 |
| Tiempo de Subida [ns]3 | 250 |
| Tiempo de Bajada [ns]3 | 150 |
| Retardo de Inicio de Señal a Subida [ns]3 | 400 |
| Protección ESD para Diodo Láser | SÍ |
| Método de Refrigeración | Activa - TEC |
| Temperatura de Operación [°C] | 10 - 35 |
| Protección contra Sobrecalentamiento | Sí |
| Potencia Disipada [W, superficie inferior] | <35 |
| Consumo Máx. de Potencia [V x A] | 7.5 x 8 |
| Dimensiones del Módulo (L x W x H) [mm] | 129 x 59 x 41 |
1 Vertical x Horizontal.
2 Prueba realizada a 22°C ±2 de temperatura ambiente utilizando un medidor de potencia óptica con un ancho de banda de entrada de 100 Hz. La potencia fue medida cada 6 segundos. Prueba realizada después del pre-calentamiento inicial.
3 Medición realizada con frecuencia de 100kHz.