NUBM44는 445nm, 6W 레이저 다이오드입니다. 이는 현재 사용 가능한 가장 높은 출력의 청색 레이저 다이오드입니다. 이에 비해 445nm 및 450nm의 다른 레이저 다이오드는 오스람 PLTB450B(1.6W) 및 PLPT9 450C(3.0W)와 같이 지정된 광 출력이 더 낮습니다. NUBM44도 450nm 레이저 다이오드로 간주되며, 이 두 파장은 종종 같은 의미로 사용됩니다.

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445nm의 고유한 레이저 파장 때문에 니치아 NUBM44 레이저 다이오드의 응용 분야는 매우 다양합니다. 여기에는 조각, RBG 레이저, 형광 레이저, 형광체 펌핑, 현미경 및 이미징, 광유전학, 예술 및 건축, 조명 및 툴륨 도핑 섬유 펌핑이 포함됩니다. 예를 들어, 이 450nm 레이저로 형광체를 펌핑하여 낮은 에텐듀 광대역(백색) 광원을 만들 수 있습니다. 이 GaN 레이저는 광 출력, 출력 밀도, 작동 온도 및 재료 흡수율이 모두 일반적인 GaAs 또는_CO2 레이저보다 높기 때문에 레이저 헤드 조각에도 탁월한 선택입니다. 청색 레이저의 가격도 저렴합니다. 현재 450nm를 위한 다양한 애플리케이션도 개발되고 있습니다.

이 450nm 반도체 레이저는 다른 고출력 레이저 다이오드에 비해 P-N 접합부의 발열 증가에 상대적으로 영향을 받지 않습니다. 따라서 0-65°C의 케이스 작동 온도(T-케이스)가 가능합니다. 또한 다른 어떤 멀티모드 레이저 다이오드보다 20,000시간의 수명(통상) 사양, 더 작은 이미터(더 좁은 에칭 폭), 더 높은 전류 밀도, 더 높은 광 출력을 제공합니다. 작동 온도에 거의 영향을 받지 않는 성능은 질화 갈륨 레이저 구조를 사용하는 새로운 블루 레이저 다이오드 기술 덕분에 가능합니다.

질화 갈륨(GaN) 레이저 장치에 비해 갈륨 비소 장치(적색 및 근적외선 반도체 레이저에 사용되는 재료 분류)는 GaN 장치보다 1~2배 정도 낮은 출력 밀도를 견뎌낼 수 있습니다. 이 제한은 여러 가지 방식으로 적색 및 NIR 레이저 다이오드 성능에 영향을 미칩니다. 청색 레이저 다이오드의 출력은 적색 또는 NIR 레이저보다 5배에서 10배 더 높습니다. 도파관도 일반적으로 10배 더 작기 때문에 레이저의 조준 및 초점 기능이 크게 향상됩니다. 또한 청색 다이오드의 경우 레이저 칩의 길이가 훨씬 짧아져 임계 전류가 낮아질 수 있습니다. 멀티모드 GaN 레이저 칩의 전반적인 효율은 GaAs 레이저 칩보다 낮지만, 온도 제어의 필요성이 줄어드는 등 여러 가지 중요한 장점이 있습니다. 이는 반도체 이득 매체가 높은 열 부하와 기울기를 견딜 수 있는 능력이 더 뛰어나기 때문입니다.

니치아 NUBM44 6W 레이저 다이오드는 열 저항을 낮추기 위해 더 큰 히트 스프레더를 통합한 맞춤형 TO-5(9mm) 캔에 패키징되어 열 전도가 개선됩니다. 이는 양극과 음극 핀의 위치를 TO 헤더 하단에서 돌출된 위치로 1mm 이동시킴으로써 달성할 수 있습니다. 이러한 개발이 없었다면 청색 레이저 칩을 밀폐된 9mm TO-캔 안에 패키징하는 것은 불가능했을 것입니다. 대신 노출된 면이 오염으로 인해 COD 장애를 일으킬 수 있는 C-마운트가 필요합니다. 반대로 고출력 근적외선 및 적색 다이오드 레이저는 일반적으로 C-마운트 패키지가 필요합니다. 이는 취급의 용이성에 영향을 미치고 작동 온도를 심각하게 제한하며 클린룸 환경에서 조립해야 합니다. 또한 GaAs 레이저는 일반적으로 TEC 소자를 통합해야 합니다. 이러한 요인으로 인해 9mm TO 패키지에 비해 패키지 및 하우징 치수는 물론 내부에 사용되는 제품의 복잡성이 증가하는 경향이 있습니다.

NUBM44는 니치아 NUBM47 레이저 다이오드와 유사합니다. 그러나 테스트 결과 44는 47보다 효율이 높고 임계값이 낮으며 수명은 비슷한 것으로 나타났습니다. 두 제품 모두 6W의 작동 전력을 가지고 있으며, 450nm 6W 레이저 다이오드의 초점 또는 콜리메이트 능력은 거의 동일합니다. 이러한 이유와 독점적인 이유 때문에 현재로서는 고출력 청색 레이저 다이오드에 가장 적합한 옵션은 NUBM44입니다.

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엔지니어링 참고 사항: 다이오드는 6W 광 출력에서 약 12W의 열을 방출하므로 최대 출력에서 안정적으로 작동하려면 열 저항이 낮은 TO-캔 마운트( <1 .5°C/W)를 사용하세요. 고속 축 원거리 발산은 일반적으로 ~44°이므로 다이오드를 고NA 콜리메이션 렌즈(NA > 0.50)와 페어링하고, 더 엄격한 콜리메이션이 필요한 경우 선택적으로 원통형 렌즈 쌍을 추가하여 저속 축 발산을 줄입니다. 이러한 방식은 0~65°C T-케이스 범위에서 수집된 전력과 안정성을 극대화합니다.