NUBM44 е лазерен диод с дължина на вълната 445 nm и мощност 6 W. Това е синият лазерен диод с най-висока мощност, който се предлага в момента. За сравнение, други лазерни диоди с дължина на вълната 445 nm и 450 nm имат по-ниска специфицирана оптична мощност, като например Osram PLTB450B (1,6 W) и PLPT9 450C (3,0 W). Обърнете внимание, че NUBM44 също се счита за лазерен диод с дължина на вълната 450 nm и двете дължини на вълната често се използват взаимозаменяемо за описанието му.

[продукт:123]

Има много приложения за лазерния диод NUBM44 на Nichia поради уникалната му дължина на вълната 445 nm. Те включват гравиране, RBG лазер, флуоресцентен лазер, фосфорно изпомпване, микроскопия и визуализация, оптогенетика, изкуство и архитектура, осветление и изпомпване на влакна, легирани с тулий. Например, чрез изпомпване на фосфор с този 450 nm лазер могат да се направят широколентови (бели) светлинни източници с нисък интензитет. Този GaN лазер е отличен избор и за гравиращи лазерни глави, тъй като оптичната мощност, плътността на мощността, работната температура и абсорбцията на материала са по-високи, отколкото при типичния GaAs или_CO2 лазер. Цената на синия лазер също е по-ниска. В момента се разработват и много приложения за 450 nm.

Този 450 nm полупроводников лазер е относително незасегнат от повишеното нагряване на P-N прехода в сравнение с други мощни лазерни диоди. Това позволява работна температура (T-case) от 0-65 °C. Освен това позволява спецификация за експлоатационен живот (типичен) от 20 000 часа, по-малък емитер (по-малка ширина на ецване), по-висока плътност на тока и по-голяма оптична мощност в сравнение с всеки друг наличен многомодов лазерен диод. Производителността, почти неподвластна на работната температура, е възможна до голяма степен благодарение на нова технология за сини лазерни диоди, която използва структура от галиев нитрид.

В сравнение с лазерните устройства от галиев нитрид (GaN), устройствата от галиев арсенид (класификация на материалите, използвани за червени и NIR полупроводникови лазери) търпят плътност на мощността, по-ниска с 1-2 порядъка от GaN устройствата. Това ограничение се отразява на работата на червените и NIR лазерни диоди по няколко начина. Мощността на синия лазерен диод е 5× до 10× по-висока от тази на червения или NIR лазер. Вълноводът също така обикновено е 10 пъти по-малък, което значително подобрява способността на лазера да бъде колимиран и фокусиран. Освен това лазерният чип може да бъде много по-къс за синия диод, което води до по-нисък прагов ток. Въпреки че общата ефективност на многомодовия GaN лазерен чип е по-ниска от тази на GaAs аналога, той има много съществени предимства, като например намалена необходимост от температурен контрол. Това е така, защото полупроводниковата среда за усилване има по-голяма способност да понася високи термични натоварвания и градиенти.

Лазерният диод Nichia NUBM44 с мощност 6 W е опакован в специална кутия TO-5 (9 mm), в която е вграден по-голям топлинен разпределител за по-ниско термично съпротивление, което води до по-добро провеждане на топлината. Това се постига чрез изместване на позицията на анодните и катодните щифтове с 1 mm, където те изпъкват от долната част на TO-главата. Без тези разработки не би било възможно синият лазерен чип да бъде опакован в херметически затворена 9-милиметрова TO-кутия. Вместо това ще е необходим C-монтаж, в който откритият фасет ще бъде изложен на възможна повреда на COD поради замърсяване. За разлика от тях, мощните NIR и червени диодни лазери обикновено изискват C-монтаж. Това се отразява на лесното боравене с тях, силно ограничава работната температура и изисква сглобяване в чисти помещения. GaAs лазерът обикновено изисква и интегрирането на TEC елемент. Тези фактори обикновено увеличават размерите на опаковката и корпуса, както и сложността на продукта, в който те се използват, в сравнение с 9-милиметровия TO пакет.

NUBM44 е подобен на лазерния диод NUBM47 на Nichia. Нашите тестове обаче показват, че '44 има по-висока ефективност и по-нисък праг от '47, както и подобен живот. И двата имат работна мощност от 6 W. Способността на двата 450 nm 6 W лазерни диода да бъдат фокусирани или колимирани е почти идентична. Поради тези причини, както и поради фирмени причини, NUBM44 понастоящем е най-добрият вариант за мощен син лазерен диод.

Можете да видите други лазерни диоди в нашето предложение на страницата на категорията Лазерни диоди.

Лазерно гравиране | Драйвер за лазерен диод | Лазерен диод | Лазерен контролер | NUBM44 | X Carve | Stepcraft | Лазерни модули |

Инженерни бележки: За надеждна работа при пълна мощност използвайте монтажна кутия с ниско термично съпротивление ( < 1,5 °C/W), тъй като диодът разсейва приблизително 12 W топлина при 6 W оптична мощност. Тъй като отклонението на далечното поле по бързата ос обикновено е ~44°, свържете диода с колимационна леща с висока NA (NA > 0,50); по желание добавете двойка цилиндрични лещи за намаляване на отклонението по бавната ос, когато е необходима по-тясна колимация. Тези практики увеличават максимално събраната мощност и стабилността в целия диапазон на Т-корпус 0-65 °C.