Módulo de Diodo Laser de Espaço Livre 4W 659nm
Módulo laser projetado para comprimento de onda 659nm e potência de 4 W. Tamanho típico do feixe é 7 x 7 mm.
Disponível sob encomenda mediante solicitação
Descrição do produto
O Módulo de Diodo Laser de Espaço Livre Opt Lasers 4W 659nm é uma fonte de alta potência de radiação laser em 659 nm. O módulo pode ser facilmente montado em plataformas de prototipagem métrica ou em dissipadores/soluções de resfriamento. É possível o controle preciso de potência do laser e da duração dos pulsos por meio de comandos analógicos ou sinais PWM.
Com este módulo, o usuário tem total flexibilidade na seleção do método de resfriamento. Esta característica permite otimizar os custos do sistema térmico e possibilita um aumento significativo da estabilidade de potência do módulo. Nossa equipe está à disposição para auxiliá-lo na escolha do método de resfriamento mais adequado à sua aplicação.
A satisfação do cliente é o valor mais importante para nós. Por isso, oferecemos total customização do módulo para atender tanto clientes industriais quanto laboratoriais. Nossa equipe de especialistas está preparada para oferecer suporte técnico ao seu projeto. Em caso de dúvidas, não hesite em entrar em contato conosco.
Saiba mais sobre os módulos de diodo laser de espaço livre.
Características do Produto
- Alta potência
- Alta estabilidade óptica
- Longa vida útil
- Modulação de alta velocidade
Aplicações
- Iluminação
- Fluorescência
- Espectroscopia
- Biomedicina
Especificações
| Comprimento de Onda Central Típico [nm, ±6] | 659 |
|---|---|
| Potência de saída [W] | 4 |
| Tamanho Típico do Feixe [mm, @ 1/e2]1 | 8,5 x 7,5 |
| Divergência Típica do Feixe em Ângulo Total [mRad, @ 1/e]1 | 0,2 x 10 |
| Estado de Polarização | TM |
| Relação de Extinção de Polarização Mínima | 1:100 |
| Estabilidade de Potência Pico-a-Pico em 8h, %2 | 0,7 - 3 |
| Estabilidade RMS de Potência em 8h, %2 | 0,1 - 0,5 |
| Vida útil [h] | 10 000 |
| Entrada de Modulação [V, Analógica] | 0-5 |
| Largura de Banda de Modulação -3 dB [kHz] | 850 |
| Tempo de Inicialização Suave [ms] | 2000 |
| Tempo de Subida [ns]3 | 250 |
| Tempo de Queda [ns]3 | 150 |
| Atraso do Sinal para Início da Subida [ns]3 | 400 |
| Proteção ESD para Diodo Laser | SIM |
| Método de Resfriamento | - |
| Temperatura do Invólucro [°C] | 10 - 40 |
| Proteção contra superaquecimento | Sim |
| Potência Máxima Dissipada [W, superfície inferior] | 25 |
| Consumo Máximo de Potência [V x A] | 12 x 2 |
| Dimensões do Módulo (C x L x A) [mm] | 178 x 77 x 37 |
1 Vertical x Horizontal.
2 Depende do método de resfriamento aplicado
3 Medição realizada com frequência de 100kHz.