Módulo Diodo Láser de Espacio Libre 1600mW 450nm
Módulo láser diseñado con longitud de onda de 450 nm y potencia de 1600 mW. El tamaño de haz típico es de 3 x 2,5 mm, con baja divergencia de haz de 0,2 x 1,2 mRad.
Disponible por pedido bajo solicitud
Descripción del producto
Descripción general
El Módulo Diodo Láser de Espacio Libre de 1600 mW y 450 nm de Opt Lasers presenta especificaciones excelentes de divergencia y tamaño de haz. El controlador de diodo láser suministrado con este módulo garantiza un control preciso de la corriente del diodo láser, manteniendo simultáneamente una modulación de alta velocidad. El control preciso de la temperatura del alojamiento del diodo láser mejora significativamente la estabilidad de potencia y asegura una larga vida útil del diodo láser. Esta combinación de especificaciones de haz y el control de corriente y temperatura convierte a este módulo en la elección ideal tanto para aplicaciones científicas como industriales.
La plataforma de refrigeración y la fuente de alimentación están disponibles para este módulo. Si desea agregarlos a su pedido o tiene cualquier otra consulta, no dude en contactarnos.
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Características del producto
- Tamaño de haz reducido
- Baja divergencia
- Alta estabilidad óptica
- Refrigeración activa
- Larga vida útil
- Modulación de alta velocidad
Aplicaciones
- Iluminación
- Automoción
- Espectroscopía
- Fluorescencia
- Biomedicina
Especificaciones
| Longitud de onda central típ. [nm, ±10] | 450 |
|---|---|
| Potencia de salida [mW] | 1600 |
| Tamaño de haz típ. [mm, @ 1/e2]1 | 3 x 2.5 |
| Divergencia angular total típica del haz [mRad, @ 1/e]1 | 0.2 x 1.2 |
| Ancho espectral típico FWHM, nm [nm, @ FWHM] | 1 |
| Estado de polarización | TE |
| Estabilidad de potencia pico a pico en 8h, %2 | 0.5 |
| Estabilidad de potencia RMS en 8h, %2 | 0.08 |
| Vida útil [h] | 10 000 |
| Entrada de modulación [V, Analógica] | 0-5 |
| Ancho de banda de modulación -3 dB [kHz] | 600 |
| Tiempo de arranque suave [ms] | 2000 |
| Tiempo de ascenso [ns]3 | 250 |
| Tiempo de caída [ns]3 | 150 |
| Retardo señal-inicio de subida [ns]3 | 400 |
| Protección ESD para el diodo láser | SÍ |
| Método de refrigeración | Activa - TEC |
| Temperatura de operación [°C] | 10 - 35 |
| Protección contra sobrecalentamiento | Sí |
| Potencia disipada [W, superficie inferior] | <35 |
| Consumo máximo de energía [V x A] | 7.5 x 8 |
| Dimensiones del módulo (L x A x H) [mm] | 129 x 59 x 41 |
1 Vertical x Horizontal.
2 Prueba realizada a 22°C ±2 de temperatura ambiente utilizando un medidor de potencia óptica con un ancho de banda de entrada de 100 Hz. La potencia se midió cada 6 segundos. Prueba realizada después del precalentamiento inicial.
3 Medición realizada a una frecuencia de 100kHz.