Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre 900mW 638nm
Módulo láser diseñado con longitud de onda de 638 nm y potencia de 900 mW. El tamaño típico de haz es de 5 x 5.5 mm, con baja divergencia de haz igual a 0.2 x 1.6 mRad.
Disponible por pedido bajo solicitud
Descripción del producto
Resumen
El Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre 900 mW 638 nm de Opt Lasers ofrece excelentes especificaciones de divergencia y tamaño de haz. El controlador de diodo láser proporcionado con este módulo garantiza un control preciso de la corriente del diodo láser, manteniendo una modulación de alta velocidad. El control preciso de la temperatura del alojamiento del diodo láser mejora significativamente la estabilidad de potencia y garantiza una larga vida útil del diodo láser. Esta combinación de especificaciones de haz junto con el control de corriente y temperatura hace que este módulo sea la opción ideal tanto para aplicaciones científicas como industriales.
La plataforma de refrigeración y la fuente de alimentación (PSU) para este módulo están disponibles. Si desea agregarlas a su pedido o tiene cualquier otra consulta, no dude en contactarnos.
Lea más acerca de los módulos de diodo láser de espacio libre de Opt Lasers.
Características del Producto
- Tamaño de haz reducido
- Baja divergencia
- Alta estabilidad óptica
- Refrigeración activa
- Larga vida útil
- Modulación de alta velocidad
Aplicaciones
- Iluminación
- Espectroscopía
- Fluorescencia
- Biomédico
Especificaciones
| Longitud de onda central típica [nm, ±5] | 638 |
|---|---|
| Potencia de salida [mW] | 900 |
| Tamaño de haz típico [mm, @ 1/e2]1 | 5 x 5.5 |
| Divergencia total típica del haz [mRad, @ 1/e]1 | 0.2 x 1.6 |
| Ancho típico de línea espectral FWHM, nm [nm, @ FWHM] | 1 |
| Estado de polarización | TM |
| Estabilidad de potencia pico a pico durante 8h, %2 | 0.05 |
| Estabilidad de potencia RMS durante 8h, %2 | 0.08 |
| Vida útil [h] | 10 000 |
| Entrada de modulación [V, Analógica] | 0-5 |
| Ancho de banda de modulación -3 dB [kHz] | 600 |
| Tiempo de arranque suave [ms] | 2000 |
| Tiempo de subida [ns]3 | 250 |
| Tiempo de caída [ns]3 | 150 |
| Retraso entre señal y ascenso [ns]3 | 400 |
| Protección ESD del diodo láser | SÍ |
| Método de enfriamiento | Activo - TEC |
| Temperatura de operación [°C] | 10 - 35 |
| Protección contra sobrecalentamiento | Sí |
| Potencia disipada [W, superficie inferior] | <25 |
| Consumo máximo de potencia [V x A] | 7.5 x 8 |
| Dimensiones del módulo (L x A x H) [mm] | 129 x 59 x 41 |
1 Vertical x Horizontal.
2 Ensayo realizado a temperatura ambiente de 22°C ±2 utilizando un medidor de potencia óptica con un ancho de banda de entrada de 100 Hz. La potencia se midió cada 6 segundos. Ensayo realizado después de la estabilización térmica inicial.
3 Medición realizada con frecuencia de 100kHz.