NUBM44 445 nm 6 W高功率蓝光激光二极管
NUBM44是一款小发射区、高功率6 W激光二极管。该蓝光激光二极管是目前采用单发射器或标准TO封装可获得的最高功率激光二极管。此氮化镓激光器可在高达65°C的温度下运行,且寿命并无显著下降。NUBM44亦被称为450 nm激光二极管。
产品描述
关于NUBM44 445 nm 6 W高功率蓝光激光二极管
这是一款日亚生产的,具有445 nm波长、可实现6 W输出功率的蓝光激光二极管。该系列激光二极管源自NUBM44芯片组。
- 445 nm下6.0 W蓝光激光二极管
- 具备极高聚焦能力,可实现优良准直
- 紧凑型TO-5(9 mm)金属封装
- 宽工作温度范围为0–65 °C
- 氮化镓(GaN)蓝光激光技术支持在高温下获得更长寿命
NUBM44是一款发射445 nm波长、输出功率为6 W的激光二极管。它是目前9 mm TO-Can(TO-5封装)中可用的最高功率级别的激光二极管。虽然NUBM44的典型中心波长为445 nm,但在其他文献中有时被称为450 nm激光二极管。尽管这是一颗多模激光二极管,但其具备极窄的波导结构,使其拥有几乎所有高功率半导体激光器中最低的光束度积(在给定束径下的远场发散角)。其窄发射区宽度使得该器件相比其他高功率激光二极管更易于实现高质量准直和聚焦。
与其他高功率半导体激光器相比,这款6 W蓝光激光二极管对工作温度具有较强的抗扰性,建议工作壳温为0–65 °C。NUBM44激光二极管在25 °C下的典型寿命为20,000小时。然而,即使器件壳温升高至65 °C,其寿命也仅有微小下降。这得益于最新开发的氮化镓激光技术。在高温下实现低长期损耗是目前用于红光及近红外激光二极管的砷化镓技术所无法实现的。因此,该蓝光激光二极管在多种环境和应用场景中均表现出极高的可靠性。此外,该GaN激光二极管采用特殊TO-5(9 mm)封装,相比同功率级别激光二极管大幅降低了热阻。9 mm TO-Can为真空封装,有效防止半导体激光芯片受灰尘及其他污染物影响。相比之下,高功率红光及NIR激光二极管通常采用暴露端面的C-mount封装,如若不在无尘环境下运行,其可靠性易受影响。
6 W激光二极管NUBM44的使用建议
虽然该激光器对于壳体操作温度具备较强抗扰性,但我们强烈建议为NUBM44及其它高功率激光二极管配备适当的散热措施。具体而言,应选用热阻低(理想情况下小于1.5 °C/W)的安装底座,因为该激光器满功率工作时将产生约12 W热量。低热阻的激光二极管底座可减少激光发射区的局部升温,并最小化到热地的热路径。此类TO封装底座还能够降低热漂移对功率和波长的影响。通过将TO封装基座压紧于经过精加工的铝、铜或黄铜散热平面上,以及通过焊接和使用薄层导热膏,均可进一步降低热阻。
为了实现良好准直,并尽可能收集更多光能,建议选用数值孔径较高的准直透镜(如NA>0.50)。这是因为其快轴远场发散角通常达44°。若未采用快轴用高NA镜头,将存在输出功率损失。采用更长焦距的透镜可进一步提高该蓝光激光二极管的准直能力。为进一步降低慢轴发散角,可使用一对圆柱透镜实现慢轴光束扩展,Opt Lasers网店亦有供应该类产品。但在某些工作距离较短的应用中,仅采用单片准直透镜已足够满足需求。
NUBM44激光二极管的应用
NUBM44激光二极管凭借其独特的445 nm激射波长,拥有广泛多样的应用领域。应用包括雕刻、荧光粉激发、荧光照明光源、成像、光遗传学、RGB激光源、艺术及建筑、钬离子(Tm)掺杂光纤泵浦及照明等。例如,通过该激光二极管泵浦荧光粉,可获得极低束度积的白光(宽带)光源。随着该器件的逐步进入市场,其应用领域仍在不断拓展和创新。
NUBM44与NUBM47激光二极管对比
需要注意的是,NUBM44 6 W激光二极管与NUBM47非常相似。然而,我们的测试表明,NUBM44具有更低的阈值电流及更高的电光转换效率,同时寿命和6 W工作功率均与NUBM47相当。二者的准直和聚焦能力也相当。基于上述以及其他专有原因,我们认为NUBM44目前是更优的选择。
其它类型激光二极管及配件
如果您需要不同于445 nm的紫、蓝、绿或红光激光二极管,我们也可提供如405 nm、520 nm、638 nm等多种波长的高功率激光器。同时,我们还提供多种激光二极管配件,包括激光二极管安装底座、准直及聚焦透镜、圆柱透镜组,以及TEC温控器、激光电流源等电子驱动器。