Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre de 3000 mW y 405 nm
Módulo láser diseñado con una longitud de onda de 405 nm y una potencia de 3000 mW. El tamaño de haz típico es de 3 x 3.5 mm, con una baja divergencia de haz igual a 0.2 x 2.4 mRad.
Disponible por pedido bajo solicitud
Descripción del producto
Resumen
El Módulo de Diodo Láser de Espacio Libre de 3000 mW y 405 nm de Opt Lasers presenta especificaciones excelentes de divergencia y tamaño de haz. El controlador de diodo láser suministrado con este módulo garantiza un control preciso de la corriente del diodo láser, manteniendo una modulación de alta velocidad. El control preciso de la temperatura de la carcasa del diodo láser mejora significativamente la estabilidad de potencia y asegura una larga vida útil del diodo láser. Esta combinación de especificaciones de haz y control de corriente y temperatura convierte a este módulo en una opción ideal tanto para aplicaciones científicas como industriales.
La plataforma de refrigeración y la fuente de alimentación para este módulo están disponibles para este modelo. Si desea añadirlas a su pedido u obtener más información, no dude en contactarnos.
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Características del Producto
- Pequeño tamaño de haz
- Baja divergencia
- Alta estabilidad óptica
- Refrigeración activa
- Larga vida útil
- Modulación de alta velocidad
Aplicaciones
- Iluminación
- Automoción
- Espectroscopía
- Fluorescencia
- Biomédico
Especificaciones
| Longitud de onda central típica [nm, ±5] | 402 |
|---|---|
| Potencia de salida [mW] | 3000 |
| Tamaño típico del haz [mm, @ 1/e2]1 | 3 x 3.5 |
| Divergencia típica del haz a ángulo completo [mRad, @ 1/e]1 | 0.2 x 2.4 |
| Estado de polarización | TE |
| Estabilidad de potencia pico a pico en 8h, %2 | 0.5 |
| Estabilidad de potencia RMS en 8h, %2 | 0.08 |
| Vida útil [h] | 10 000 |
| Entrada de modulación [V, Analógica] | 0-5 |
| Ancho de banda de modulación -3 dB [kHz] | 600 |
| Tiempo de softstart [ms] | 2000 |
| Tiempo de subida [ns]3 | 250 |
| Tiempo de bajada [ns]3 | 150 |
| Retardo de señal al inicio de subida [ns]3 | 400 |
| Protección ESD para diodo láser | SÍ |
| Método de enfriamiento | Activo - TEC |
| Temperatura de operación [°C] | 10 - 35 |
| Protección contra sobrecalentamiento | Sí |
| Potencia disipada [W, superficie inferior] | <35 |
| Consumo máximo de energía [V x A] | 7.5 x 8 |
| Dimensiones del módulo (L x A x H) [mm] | 129 x 59 x 41 |
1 Vertical x Horizontal.
2 Prueba realizada a una temperatura ambiente de 22°C ±2 usando un medidor de potencia óptica con un ancho de banda de entrada de 100 Hz. La potencia fue medida cada 6 segundos. Prueba realizada tras el calentamiento inicial.
3 Medición realizada con frecuencia de 100kHz.